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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S64800CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64兆比特同步DRAM（6400位（4列× 2位× 8）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 24/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 346K |
| 代理商： | HYB 39S64800CT |
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HYB39S64400/800/160CT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
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PDF描述 |
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