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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S64800CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64兆比特同步DRAM（6400位（4列× 2位× 8）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 49/52頁 |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | HYB 39S64800CT |
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HYB39S64400/800/160CT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
49
20.2 CAS Latency = 3
T14
Bx
Full Page burst operation does not
terminate when the burst length is satisfied;
the burst counter increments and continues
bursting beginning with the starting address.
BS
Command
Bank A
AP
DQM
DQ
Addr.
Command
Bank A
Activate
Hi-Z
Read
RAx
RAx
CAx
page address back to zero
during this time interval.
The burst counter wraps
from the highest order
Activate
Command
Bank B
Ax
Ax 1
2
Ax+
Ax
~
~
-
RBx
RBx
~
~
~
~
~
~
Ax
Read
Command
Bank B
Ax
2
1
Ax
1
Bx
Bx 1
CBx
T3
CLK
CKE
CS
RAS
WE
CAS
T0
High
CK3
t
T1
T2
~
~
~
~
~
~
~
T4
T5
~
~
~
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
SPT03930
Bank B
Command
Activate
Bank B
Precharge
Command
Burst Stop
Command
+
+2
Bx
Bx
3
4
+
5
+
Bx
RBy
t
RRD
RBy
T20
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 3
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB3118165BSJ-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| HYB3118165BST-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
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| HYB 3118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800CT-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
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| HYB39S64XXX0CTL-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39SC128160FE | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM |
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