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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S64800CT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 64兆比特同步DRAM（6400位（4列× 2位× 8）同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 48/52頁(yè) |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | HYB 39S64800CT |
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HYB39S64400/800/160CT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
48
\
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
BS
-
page address back to zero
during this time interval.
from the highest order
The burst counter wraps
Addr.
DQM
DQ
AP
+2 Ax
Hi-Z
Command
Bank A
Command
Bank A
Read
Activate
Bank B
Command
Ax
Activate
Ax
+1
Ax
RAx
RAx
CAx
~
~
RBx
RBx
~
~
~
~
SPT03929
bursting beginning with the starting address.
Burst Stop
Command
the burst counter increments and continues
terminate when the burst length is satisfied;
Full Page burst operation does not
Bank B
Command
Ax
Read
-
2
Ax 1
1
Ax+
Bx
Bx+1
Bx+2
+
Bx 3
+
Bx 4
CBx
Bank B
Command
Activate
Command
Bank B
Precharge
Bx
5
Bx+
6
+
RBy
t
RP
RBy
CAS
RAS
CKE
CLK
CS
WE
~
~
~
~
~
~
~
High
CK2
t
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T5
T6
T15
T11
T7
T8
T10
T9
T13
T12
T14
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 2
T16
T17
T18
T19
T20
T21 T22
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