參數(shù)資料
型號(hào): HYB 39S64800CT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 64兆比特同步DRAM(6400位(4列× 2位× 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁(yè)數(shù): 3/52頁(yè)
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代理商: HYB 39S64800CT
HYB 39S64400/800CT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
3
12.99
Pin Configuration
for x4 and x8 Organized 64M-SDRAMs
TSOPII-54 (10.16 mm
×
22.22 mm, 0.8 mm pitch)
SPP04201
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ3
V
N.C.
N.C.
V
N.C.
DQ2
V
N.C.
V
N.C.
DQM
CLK
CKE
N.C.
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
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21
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23
24
25
26
27
N.C.
V
DDQ
N.C.
SS
V
DDQ
SSQ
DDQ
16 M x 4
V
DD
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
SSQ
V
N.C.
DDQ
V
N.C.
V
SSQ
N.C.
V
DD
N.C.
8 M x 8
CLK
CKE
N.C.
A11
DQ5
V
DDQ
N.C.
V
SS
N.C.
DQM
SSQ
N.C.
DQ4
V
N.C.
DQ6
V
DDQ
N.C.
DQ7
V
SSQ
V
SS
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
DDQ
N.C.
DQ1
V
DD
SSQ
N.C.
DQ2
V
DDQ
N.C.
DQ3
V
DD
SSQ
N.C.
V
N.C.
DQ0
V
WE
V
N.C.
DQ1
DQ0
SS
SS
V
A8
A7
A6
A5
A4
A9
DD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 5118165BST-50 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式))
HYB3118165BSJ-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
HYB3118165BST-50 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
HYB3118165BST-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
HYB 3118165BSJ 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM)
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