參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 39S64800CT
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 64兆比特同步DRAM（6400位（4列× 2位× 8）同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 25/52頁(yè)
文件大小： 346K
代理商： HYB 39S64800CT
HYB39S64400/800/160CT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
25
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 5118165BST-50 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式))
HYB3118165BSJ-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
HYB3118165BST-50 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85
HYB3118165BST-60 High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
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