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參數資料
| 型號： | HYB18L128160BF |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 針對移動應用的DRAM 128 - Mbit的移動RAM |
| 文件頁數： | 15/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1399K |
| 代理商： | HYB18L128160BF |
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Data Sheet
15
Rev. 1.71, 2007-01
05282004-NZNK-8T0D
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Functional DescriptionCommands
Figure 5
Address / Command Inputs Timing Parameters
2.4.1
NO OPERATION (NOP)
Figure 6
No Operation Command
The NO OPERATION (NOP) command is used to perform a NOP to a Mobile-RAM which is selected (CS = LOW).
This prevents unwanted commands from being registered during idle states. Operations already in progress are
not affected.
Table 8
Parameter
Inputs Timing Parameters
Symbol
- 7.5
Unit
Notes
min.
max.
Clock cycle time
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
t
CK
7.5
9.5
––
––
2.5
2.5
1.5
0.5
––
––
133
105
––
––
––
––
ns
ns
MHz
MHz
ns
ns
ns
ns
––
Clock frequency
f
CK
––
Clock high-level width
Clock low-level width
Address and command input setup time
Address and command input hold time
t
CH
t
CL
t
IS
t
IH
––
––
––
––
$ONgT #ARE
T
#,
T
#(
T
)3
T
)(
T
#+
#,+
)NPUT
6ALID
6ALID
6ALID
!
!
"!
"!
#3 #+% 2!3 #!3 7%
$ONgT #ARE
7%
#!3
#3
#+%
(IGH
#,+
! !
"! "!
2!3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18L256160B | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB18L128160BF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L128160BF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160B | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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