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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L128160BF |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 針對移動應(yīng)用的DRAM 128 - Mbit的移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 28/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1399K |
| 代理商： | HYB18L128160BF |
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Data Sheet
28
Rev. 1.71, 2007-01
05282004-NZNK-8T0D
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Functional DescriptionCommands
Figure 25
WRITE Burst (CAS Latency = 2)
Table 12
Parameter
Timing Parameters for WRITE
Symbol
- 7.5
Units
Notes
min.
max.
DQ and DQM input setup time
DQ input hold time
DQM input hold time
DQM write mask latency
ACTIVE to ACTIVE command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
ACTIVE to PRECHARGE command period
WRITE recovery time
PRECHARGE command period
1) These parameters account for the number of clock cycles and depend on the operating frequency as follows:
no. of clock cycles = specified delay / clock period; round up to next integer.
t
IS
t
IH
1.5
0.8
0.5
0
67
19
45
14
19
—
—
—
—
—
—
100k
—
—
ns
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
—
—
1)
t
DQW
t
RC
t
RCD
t
RAS
t
WR
t
RP
"A ! #OL N
$) N
"URST ,ENGTH
SUBSEQUENT ELEMENTS OF $ATA )N ARE PROVIDED IN THE PROGRAMMED ORDER FOLLOWING $) N
BANK ! COLUMN N
$ATA )N TO COLUMN N
IN THE CASE SHOWN
$ONgT #ARE
#,+
T
2#$
T
2!3
T
2#
T
20
T
72
#OMMAND
./0
72)4%
./0
./0
./0
02%
./0
!#4
!#4
./0
!DDRESS
"A !
2OW X
"A !
#OL N
"A !
2OW B
2OW X
2OW B
$IS
!0
!0
0RE "ANK !
0RE !LL
!
!0
$1
$) N
$) N
$) N
$) N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18L256160B | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L128160BF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L128160BF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160B | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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