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參數資料
| 型號： | HYB18L128160BF |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 128-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 針對移動應用的DRAM 128 - Mbit的移動RAM |
| 文件頁數： | 27/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 1399K |
| 代理商： | HYB18L128160BF |
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Data Sheet
27
Rev. 1.71, 2007-01
05282004-NZNK-8T0D
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Functional DescriptionCommands
completion of the write burst. For the generic WRITE commands used in the following illustrations, Auto Precharge
is disabled.
Figure 24
Basic WRITE Timing Parameters for DQs
During WRITE bursts, the first valid data-in element is registered coincident with the WRITE command, and
subsequent data elements are registered on each successive positive edge of CLK. Upon completion of a burst,
assuming no other commands have been initiated, the DQs remain in High-Z state, and any additional input data
is ignored.
Figure 25
and
Figure 26
show a single WRITE burst for each supported CAS latency setting.
#,+
$ONgT #ARE
T
)3
T
)(
T
)3
T
)(
$1-
$1
$) N
$) N
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18L256160B | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB18L128160BF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L128160BF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160B | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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