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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256400AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256400AF |
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Page 34 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
The minimum time from the burst read command to the burst write command is defined by a read-to-write turn-
around time, which is BL/2 + 2 clocks.
Burst Read Operation: RL = 3 (AL = 0, CL = 3, BL = 8)
Burst Read followed by Burst Write: RL = 5, WL = (RL-1) = 4, BL = 4
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ's
NOP
READ A
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 3
CL = 3
NOP
<= tDQSCK
BRead303
DQS,
DQS
Dout A4
Dout A5
Dout A6
Dout A7
CK, CK
NOP
Posted CAS
W RITE A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ A
Posted CAS
T0
T1
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
NOP
CMD
DQ
BRBW514
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Din A0
Din A1
Din A2
Din A3
DQS,
DQS
WL = RL - 1 = 4
BL/2 + 2
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-37 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-3S | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256400AF-5 | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| HYB18T256800AF | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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