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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T256400AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內存 |
| 文件頁數(shù)： | 69/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256400AF |
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HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
INFINEON Technologies
Page 69 Rev. 1.02 May 2004
5.4.2 Full Strength Default Pull-down Driver Characteristics
Pull-down Driver Current [mA]
Nominal Default low
Voltage (V)
Minimum
Nominal Default high
Maximum
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
8.5
12.1
14.7
16.4
17.8
18.6
19.0
19.3
19.7
19.9
20.0
20.1
20.2
20.3
20.4
20.6
11.3
16.5
21.2
25.0
28.3
30.9
33.0
34.5
35.5
36.1
36.6
36.9
37.1
37.4
37.6
37.7
37.9
11.8
16.8
22.1
27.6
32.4
36.9
40.9
44.6
47.7
50.4
52.6
54.2
55.9
57.1
58.4
59.6
60.9
15.9
23.8
31.8
39.7
47.7
55.0
62.3
69.4
75.3
80.5
84.6
87.7
90.8
92.9
94.9
97.0
99.1
101.1
The driver characteristics evaluation conditions are:
Nominal Default 25
o
C (Tcase), VDDQ = 1.8 V, typical process
Minimum 95
o
C (Tcase), VDDQ = 1.7V, slow-slow process
Maximum 0
o
C (Tcase). VDDQ = 1.9 V, fast-fast process
0
20
40
60
80
100
120
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VOUT to VSSQ (V)
P
Minimum
Nominal Default Low
Nominal Default High
Maximum
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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