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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T256400AF |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbi t DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 256姆噸DDR2內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 44/90頁(yè) |
| 文件大小： | 1246K |
| 代理商： | HYB18T256400AF |
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Page 44 Rev. 1.02 May 2004
INFINEON Technologies
HYB18T256400/800/160AF
256Mb DDR2 SDRAM
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 5 (AL = 2, CL = 3), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
Burst Read Operation Followed by Precharge: RL = 6, (AL = 2, CL = 4), BL = 4, tRTP <= 2 clocks
NOP
NOP
NOP
Bank A
Activate
NOP
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
BR-P523
NOP
AL + BL/2 clks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 2
CL = 3
RL = 5
>=tRAS
CL = 3
tRP
Precharge
DQS,
DQS
>=tRC
>=tRTP
CK, CK
NOP
NOP
NOP
READ A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
BR-P624
NOP
AL + BL/2 clocks
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
AL = 2
CL = 4
RL = 6
>=tRAS
CL = 4
tRP
Precharge
A
Bank A
Activate
DQS,
DQS
NOP
NOP
>=tRC
>=tRTP
CK, CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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