參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3166165BT-40
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 16-Bit Dynamic RAM
中文描述： 4M X 16 EDO DRAM, 40 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù)： 1/29頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： HYB3166165BT-40
Semiconductor Group 1 6.97
4 194 304 words by 16-bit organization
0 to 70 °C operating temperature
Hyper Page Mode - EDO - operation
Performance:
Single + 3.3 V (
±
0.3V) power supply
Low power dissipation:
7.2 mW standby (TTL)
3.24 mW standby (MOS)
720
μ
A standby for L-version
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh (CBR),
RAS-only refresh, hidden refresh and Self Refresh (L-version only
2 CAS / 1 WE byte control
8192 refresh cycles/128 ms , 13 R/ 9C addresses (HYB 3164165AT)
4096 refresh cycles/ 64 ms , 12 R/ 10C addresses (HYB 3165165AT)
2048 refresh cycles/ 32 ms , 11 R/ 11C addresses (HYB 3166165AT)
256ms refresh period for L-versions
Plastic Package: P-TSOPII-50 400 mil
-40
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
40
50
60
ns
CAS access time
10
13
15
ns
Access time from address
20
25
30
ns
Read/write cycle time
69
84
104
ns
Hyper page mode (EDO)
cycle time
16
20
25
ns
-40
-50
-60
HYB3166165AT(L)
1008
612
450
mW
HYB3165165AT(L)
756
504
360
mW
HYB3164165AT(L)
612
324
324
mW
HYB 3164165AT(L) -40/-50/-60
HYB 3165165AT(L) -40/-50/-60
HYB 3166165AT(L) -40/-50/-60
4M x 16-Bit Dynamic RAM
(8k, 4k & 2k Refresh, EDO-Version)
Advanced Information
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PDF描述
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HYB3166165BTL-60 4M x 16-Bit Dynamic RAM
HYB3164165TL-50 4M x 16-Bit Dynamic RAM
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