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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3166165BT-40 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 16 EDO DRAM, 40 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 11/29頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | HYB3166165BT-40 |
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Semiconductor Group
11
HYB3164(5/6)165AT(L)-40/-50/-60
4M x 16 EDO-DRAM
Read command hold time
referenced to RAS
t
RRH
0
–
0
–
0
–
ns
11
CAS to output in low-Z
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
10
0
13
0
15
ns
12
Output buffer turn-off delay from OE
0
10
0
13
0
15
ns
12
Data to CAS low delay
0
–
0
–
0
–
ns
13
Data to OE low delay
0
–
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
OE high to data delay
10
–
13
–
15
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
5
–
7
–
10
–
ns
Write command pulse width
Write command setup time
5
0
–
–
7
0
–
–
10
0
–
–
ns
ns
15
Write command to RAS lead time
6
–
8
–
10
–
ns
Write command to CAS lead time
6
–
8
–
10
–
ns
Data setup time
0
–
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
5
–
7
–
10
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
89
–
109
–
133
–
ns
RAS to WE delay time
52
–
65
–
77
–
ns
15
CAS to WE delay time
22
–
28
–
32
–
ns
15
Column address to WE delay time
32
–
40
–
47
–
ns
15
OE command hold time
5
–
7
–
10
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle time
t
HPC
t
CPA
t
COH
16
–
20
–
24
–
ns
Access time from CAS precharge
–
22
–
27
–
32
ns
7
Output data hold time
3
–
5
–
5
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
AC64-2E
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
- 40
- 50
- 60
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYB3165165BTL-60 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
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| HYB3164165TL-50 | 4M x 16-Bit Dynamic RAM |
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參數(shù)描述 |
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