- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F640J5 (Intel Corp.) 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F640J5 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲器) |
| 中文描述： | 5伏特英特爾StrataFlash存儲器（5V的6400位英特爾的StrataFlash閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 47/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | 28F640J5 |
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E
28F320J5/28F640J5
47
PRELIMINARY
R1
R14
R8
R10
High Z
R13
R11
R12
R6
R5
R4
R3
R7
R2
R9
Valid Output
Address Stable
Data Valid
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES [A]
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Disabled (V
IH
)
CE
[E]
Enabled (V
IL
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
OE# [G]
WE# [W]
DATA [D/Q]
DQ
0
-DQ
15
V
CC
RP# [P]
BYTE# [F]
High Z
0606_16
NOTES:
CE
X
low is defined as the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that enables the device. CE
X
high is defined at the first edge of CE
0
,
CE
1
, or CE
2
that disables the device (see Table 2, Chip Enable Truth Table.
Figure 16. AC Waveform for Read Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F400B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| 28F400BL-TB | 4-MBlT (256K x 16, 512K x 8) LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BV-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BX-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F640L18 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| 28F640L30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30) |
| 28F640P3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
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