參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R16800A1-5TL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 21/72頁(yè)
文件大小： 2174K
代理商： IS43R16800A1-5TL
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
21
ISSI
IS43R16800A1
Non-Consecutive Read Bursts: CAS Latencies (Burst Length = 4)
CAS Latency = 2
NOP
NOP
Read
NOP
NOP
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n
DOa- b
DO a-n (or a-b) = data out from bank a, column n (or bank a, column b).
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO a-n (and following DO a-b).
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2
CAS Latency = 2.5
NOP
NOP
Read
NOP
NOP
Read
DO a-n
DOa- b
BAa, COL n
BAa, COL b
CL=2.5
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
NOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5BL 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16800A-5T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-6 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
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