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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R16800A1-5TL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 35/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 2174K |
| 代理商： | IS43R16800A1-5TL |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
35
ISSI
IS43R16800A1
Write to Read: Minimum DQSS, Odd Number of Data (3 bit Write), Interrupting (CAS
Latency = 2; Burst Length = 8)
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 3 data elements are written.
2 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
t
WTR
is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair (not the last desired data in element)
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands are not necessarily to the same bank.
1 = This bit is correctly written into the memory array if DM is low.
2 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
DI a-b
DQS
DQ
CL = 2
t
DQSS
(min)
DM
1
2
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R32400A | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-5BL | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6B | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R32400A-6BI | 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16800A-5T | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5TL | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5TL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-5T-TR | 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16800A-6 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
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