參數(shù)資料
型號: IS43R16800A1-5TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù): 37/72頁
文件大?。?/td> 2174K
代理商: IS43R16800A1-5TL
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
37
ISSI
IS43R16800A1
Write to Precharge: Non-Interrupting (Burst Length = 4)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
NOP
NOP
NOP
NOP
Write
DI a-b
PRE
DI a-b = data in for bank a, column b.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
A non-interrupted burst is shown.
t
WR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
Maximum D
QSS
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
NOP
Write
PRE
CK
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
t
WR
Minimum D
QSS
DI a-b
DQS
DQ
DM
t
DQSS
(min)
t
RP
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IS43R16800A-5T 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5T-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-6 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM