參數(shù)資料
型號(hào): IS43R16800A1-5TL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù): 69/72頁(yè)
文件大?。?/td> 2174K
代理商: IS43R16800A1-5TL
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00A
04/17/06
69
ISSI
IS43R16800A1
Bank Write Access (Burst Length = 4)
t
W
t
D
t
I
t
I
t
I
t
I
t
I
t
I
t
I
t
I
t
I
t
I
t
C
t
C
t
C
t
R
W
N
N
N
N
P
N
N
B
N
A
R
R
D
3
D
*
P
N
D
V
B
C
C
A
B
D
D
D
C
C
t
W
t
W
t
R
A
O
D
D
C
B
t
D
t
D
t
D
t
W
t
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R32400A 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-5BL 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6B 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R32400A-6BI 4Meg x 32 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16800A-5T 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-5T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 128M 2.5v 8Mx16 400MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16800A-6 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM