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參數(shù)資料
| 型號： | IS45S16100C1-7TLA |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 19/81頁 |
| 文件大?。?/td> | 821K |
| 代理商： | IS45S16100C1-7TLA |
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IS45S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
01/03/06
19
TWO BANKS OPERATION COMMAND TRUTH TABLE
(1,2)
Previous State Next State
A11 A10A9-A0
BANK 0BANK 1
X
X
X
X
Any
H
X
X
X
Any
L
X
X
X
R/W/A
Operation
DESL
NOP
BST
CSRASCAS WE
H
X
L
H
L
H
X
H
H
BANK 0BANK 1
Any
Any
A
I
I/A
I/A
I/A
A
I/A
A
RP
RP
R
R
I/A
A
I/A
A
WP
WP
W
W
Any
A
I
I
I/A
R/W/A/I
I
I
I
I
Any
Any
I/A
I/A
R/W/A
I
R/W/A
A
R/W/A
A
I/A
R/W
I/A
R/W
R/W/A
A
R/W/A
A
I/A
R/W
I/A
R/W
I
Any
I/A
R/W/A/I
R/W/A/I
I/A
I/A
R/W/A/I
I
I
Any
Any
I/A
I/A
A
I
RP
RP
R
R
I/A
A
I/A
A
WP
WP
W
W
I/A
A
I/A
A
A
Any
I
I
I
I
I/A
R/W/A/I
I
I
I
I/A
I/A
I/A
R/W
I/A
R/W
R/W/A
A
R/W/A
A
I/A
R/W
I/A
R/W
R/W/A
A
R/W/A
A
Any
I
R/W/A/I
I/A
I/A
R/W/A/I
R/W/A/I
I/A
I
I
READ/READA
L
H
L
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
L
X
X
H
H
L
L
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
RA
RA
H
H
L
L
L
L
X
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
CA
(3)
RA
RA
X
X
X
X
X
X
X
WRIT/WRITA
L
H
L
L
ACT
L
L
H
H
PRE/PALL
L
L
H
L
REF
MRS
L
L
L
L
L
L
H
L
OPCODE
Notes:
1. H: HIGH level input, L: LOW level input, X: HIGH or LOW level input, RA: Row Address, CA: Column Address
2. The device state symbols are interpreted as follows:
I
A
R
W
RP
WP
Any
Idle (inactive state)
Row Active State
Read
Write
Read With Auto-Precharge
Write With Auto-Precharge
Any State
3. CA: A8,A9 = don’t care.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45S16100C1-7TLA1 | 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16400C1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16400C1-7TA1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16400C1-7TLA | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16400C1-7TLA1 | 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS45S16100C1-7TLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S16100C1-7TLA1-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS45S16100E | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16100E-6TLA1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS45S16100E-7BLA1 | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M (1Mx16) 143MHz S動態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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