參數(shù)資料
型號： IS45S16100C1-7TLA
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù)： 5/81頁
文件大?。?/td> 821K
代理商： IS45S16100C1-7TLA
IS45S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
01/03/06
5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(1)
Symbol
Parameters
Rating
Unit
V
DD
MAX
Maximum Supply Voltage
–1.0 to +4.6
V
V
DD
Q
MAX
Maximum Supply Voltage for Output Buffer
–1.0 to +4.6
V
V
IN
Input Voltage
–1.0 to +4.6
V
V
OUT
Output Voltage
–1.0 to +4.6
V
P
D
MAX
Allowable Power Dissipation
1
W
I
CS
Output Shorted Current
50
mA
T
OPR
Operating Temperature
A
A1
0 to +70
-40 to +85
°C
°C
T
STG
Storage Temperature
–55 to +150
°C
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
(2)
(
A: T
A
= 0°C to +70°C, A1: T
A
= -40°C to +85°C)
Symbol
V
DD
, V
DD
Q
V
IH
V
IL
Parameter
Supply Voltage
Input High Voltage
(3)
Input Low Voltage
(4)
Min.
3.0
2.0
-0.3
Typ.
3.3
—
—
Max.
3.6
V
DD
+ 0.3
+0.8
Unit
V
V
V
CAPACITANCE CHARACTERISTICS
(1,2)
(At T
A
= 0 to +25°C, VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V, f = 1 MHz)
Symbol
C
IN
1
C
IN
2
CI/O
Notes:
1. Stress greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause permanent damage to the device. This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the
operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. All voltages are referenced to GND.
3. V
IH
(max) = V
DDQ
+ 2.0V with a pulse width
≤
3 ns.
4. V
IL
(min) = V
DDQ
- 2.0V with a pulse width
≤
3 ns.
Parameter
Input Capacitance: A0-A11
Input Capacitance: (CLK, CKE,
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, LDQM, UDQM)
Data Input/Output Capacitance: DQ0-DQ15
Typ.
—
—
—
Max.
4
4
5
Unit
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S16100C1-7TLA1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS45S16100C1-7TLA1-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16100E 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16100E-6TLA1 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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