參數(shù)資料
型號(hào)： IS45S16100C1-7TLA
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù)： 30/81頁
文件大?。?/td> 821K
代理商： IS45S16100C1-7TLA
IS45S16100C1
ISSI
30
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
01/03/06
Interval Between Read and Write Commands
A read command can be interrupted and a new write
command executed while the read cycle is in progress,
i.e., before that cycle completes. Data corresponding to
the new write command can be input at the point new
write command is executed. To prevent collision
between input and output data at the DQn pins during
this operation, the
output data must be masked using the U/LDQM pins. The
interval (t
CCD
) between these commands must be at least
one clock cycle.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
WRITE B0
READ A0
COMMAND
U/LDQM
DQ
CLK
D
IN
B0
D
IN
B2
D
IN
B1
D
IN
B3
t
CCD
HI-Z
READ (CA=A, BANK 0)
WRITE (CA=B, BANK 0)
CAS
latency = 2, 3, burstlength = 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S16100C1-7TLA1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS45S16100C1-7TLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16100C1-7TLA1-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16100E 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16100E-6TLA1 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16100E-7BLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 143MHz S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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