參數(shù)資料
型號(hào)： IS45S16100C1-7TLA
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁(yè)數(shù)： 29/81頁(yè)
文件大?。?/td> 821K
代理商： IS45S16100C1-7TLA
IS45S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
01/03/06
29
Interval Between Write and Read Commands
A new read command can be executed while a write cycle
is in progress, i.e., before that cycle completes. Data
corresponding to the new read command is output after the
CAS
latency has elapsed from the point the new read
command was executed. The I/On pins must be placed in
the HIGH impedance state at least one cycle before data
is output during this operation.
The interval (t
CCD
) between command must be at least one
clock cycle.
The selected bank must be set to the active state before
executing this command.
DQ
WRITE A0
READ B0
COMMAND
CLK
D
IN
A0
D
OUT
B0
D
OUT
B2
D
OUT
B1
D
OUT
B3
t
CCD
HI-Z
WRITE (CA=A, BANK 0)
READ (CA=B, BANK 0)
DQ
WRITE A0
READ B0
COMMAND
CLK
D
IN
A0
D
OUT
B0
D
OUT
B2
D
OUT
B1
D
OUT
B3
t
CCD
HI-Z
WRITE (CA=A, BANK 0)
READ (CA=B, BANK 0)
CAS
latency = 2, burstlength = 4
CAS
latency = 3, burstlength = 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS45S16100C1-7TLA1 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16400C1-7TLA1 1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS45S16100C1-7TLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16100C1-7TLA1-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 143MHz Automotive Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS45S16100E 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16100E-6TLA1 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K Words x 16 Bits x 2 Banks 16Mb SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS45S16100E-7BLA1 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M (1Mx16) 143MHz S動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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