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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM44S16020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 8米× 4位× 2銀行同步DRAM（8米× 4位× 2組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/43頁(yè) |
| 文件大小： | 597K |
| 代理商： | KM44S16020B |
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CMOS SDRAM
DEVICE OPERATIONS - II
ELECTRONICS
REV. 3 Feb. '98
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note :
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
Hi-Z
Hi-Z
RD
WR
Q
0
D
1
D
2
D
3
D
0
Note 1
Hi-Z
(a) CL=2, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
D
1
D
2
RD
D
3
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
RD
WR
RD
WR
D
1
D
2
D
3
D
0
Hi-Z
Note 1
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
Q
0
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
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| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動(dòng)態(tài)RAM(帶快速頁(yè)模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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