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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 8米× 4位× 2銀行同步DRAM（8米× 4位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 37/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | KM44S16020B |
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
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Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
Ra
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| KM44S64230A | 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16000B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM44S16020CT-G10 | 制造商:SEC 功能描述: |
| KM44S32030 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM44S32030B | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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