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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 8米× 4位× 2銀行同步DRAM（8米× 4位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 28/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 597K |
| 代理商： | KM44S16020B |
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
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*Note :
1. All inputs expect CKE & DQM can be don
t care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command.
BA
0
1
0
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A10/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
BA
0
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
BA
0
1
X
Precharge
Bank A
Bank B
Both Banks
A10/AP
0
0
1
0
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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