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參數(shù)資料
| 型號： | KM44S16020B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(8M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 8米× 4位× 2銀行同步DRAM（8米× 4位× 2組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 34/43頁 |
| 文件大小： | 597K |
| 代理商： | KM44S16020B |
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
TIMING DIAGRAM - II
CMOS SDRAM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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13
14
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18
19
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
1. t
CDL
should be met to complete write.
Read
(A-Bank)
*Note 1
tCDL
Row Active
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
BA
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
QAc0
QAc1
QAc2
QAc0
QAc1
RAa
CAa
RBb
CBb
RAc
CAc
RAc
RAa
RBb
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM44S4020CT | 2M x 4Bit x 2 Banks Synchronous DRAM(2M x 4位 x 2組同步動態(tài)RAM) |
| KM44S64230A | 16M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM(16M x 4位 x 4組同步動態(tài)RAM) |
| KM44V1000D | 1M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(1M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16000B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
| KM44V16100B | 16M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode(16M x 4位CMOS 動態(tài)RAM(帶快速頁模式)) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| KM44S32030BT-G/F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM44S32030BT-G/F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit SDRAM 8M x 4Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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