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參數(shù)資料
| 型號： | M36DR432D |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個存儲產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 23/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 330K |
| 代理商： | M36DR432D |
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M36DR432C, M36DR432D
Table 22. AC Measurement Conditions
Figure 5. AC Measurement Waveform
Note: V
DD
means V
DDF
= V
DDS
Figure 6. AC Measurement Load Circuit
Table 23. Device Capacitance
(1)
(T
A
= 25 °C, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Input Rise and Fall Times
≤
4ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DD
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DD
/2
AI90206
VDD
0V
VDD/2
AI90207
CL = 50pF
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VDD
25k
VDD
0.1μF
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
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