參數(shù)資料
型號： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 10/24頁
文件大?。?/td> 591K
代理商： MRF6S20010GNR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
N-CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS
— 1930-1990 MHz
RF
OUTPUT
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
INPUT
DUT
Z1
C2
R1
C11
+
C1
C7
R2
Z7
R3
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
Z17
C3
C4
C5
Z11
Z12
Z13
Z14
C6
Z16
Z18
C8
C9
C10
Z9
Z10
Z15
Figure 17. MRF6S20010NR1(GNR1) Test Circuit Schematic — 1930-1990 MHz
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17, Z18
PCB
0.244
″
x 0.423
″
Microstrip
0.244
″
x 0.066
″
x 0.089
″
Taper
0.066
″
x 0.182
″
Microstrip
0.066
″
x 0.263
″
Microstrip
0.236
″
x 0.118
″
Microstrip
0.066
″
x 0.099
″
Microstrip
0.050
″
x 1.250
″
Microstrip
Taconic RF-35, 0.030
″
,
ε
r
= 3.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.066
″
x 0.480
″
Microstrip
0.066
″
x 0.728
″
Microstrip
0.354
″
x 0.512
″
Microstrip
0.066
″
x 0.079
″
Microstrip
0.591
″
x 0.335
″
Microstrip
0.050
″
x 0.980
″
Microstrip
1.142
″
x 0.350
″
Microstrip
1.142
″
x 0.516
″
Microstrip
0.433
″
x 0.276
″
Microstrip
Table 7. MRF6S20010NR1(GNR1) Test Circuit Component Designations and Values — 1930-1990 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
AVX
ATC
ATC
TDK
AVX
C1
C2, C6
C3, C7, C8
C4, C5, C9, C10
C11
R1, R2
R3
100 nF Chip Capacitor (1206)
4.7 pF 600B Chip Capacitors
9.1 pF 600B Chip Capacitors
10
μ
F Chip Capacitors (2220)
10
μ
F, 35 V Tantalum Chip Capacitor
10 k
Ω
Chip Resistors (1206)
10
Ω
Chip Resistor (1206)
1206C104KAT
600B4R7BW
600B9R1BW
C5750X5R1H106MT
TAJD106K035
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PDF描述
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MRF6S21100HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S21050LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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