參數(shù)資料
型號： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/24頁
文件大?。?/td> 591K
代理商： MRF6S20010GNR1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
Figure 1. MRF6S20010NR1(GNR1) Test Circuit Schematic — 2110-2170 MHz
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z16, Z17
PCB
0.930
″
x 0.350
″
Microstrip
0.930
″
x 0.400
″
Microstrip
0.050
″
x 0.105
″
Microstrip
0.405
″
x 0.242
″
Microstrip
0.066
″
x 0.740
″
Microstrip
0.050
″
x 1.250
″
Microstrip
Taconic RF-35, 0.030
″
,
ε
r
= 3.5
Z1, Z15
Z2
Z3, Z5
Z4
Z6
Z7
Z8
Z9
0.066
″
x 0.480
″
Microstrip
0.066
″
x 0.765
″
Microstrip
0.066
″
x 0.340
″
x 0.050
″
Taper
0.340
″
x 0.295
″
Microstrip
0.020
″
x 0.060
″
Microstrip
0.0905
″
x 0.280
″
Microstrip
0.0905
″
x 0.330
″
Microstrip
0.050
″
x 0.980
″
Microstrip
RF
OUTPUT
V
BIAS
V
SUPPLY
RF
INPUT
DUT
Z1
C2
R1
C11
+
C1
C7
R2
Z9
R3
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z10
Z16
C3
C4
C5
Z11
Z12
Z13
Z14
C6
Z15
Z17
C8
C9
C10
Table 6. MRF6S20010NR1(GNR1) Test Circuit Component Designations and Values — 2110-2170 MHz
Part
Description
Part Number
Manufacturer
Kemet
ATC
ATC
Murata
Kemet
C1
C2, C6
C3, C7, C8
C4, C5, C9, C10
C11
R1
R2
R3
100 nF Chip Capacitor (1206)
4.7 pF 600B Chip Capacitors
9.1 pF 600B Chip Capacitors
10
μ
F, 50 V Chip Capacitors
10
μ
F, 35 V Tantalum Chip Capacitor
1 k
Ω
Chip Resistor (1206)
10 k
Ω
Chip Resistor (1206)
10
Ω
Chip Resistor (1206)
CDR33BX104AKWS
600B4R7CW
600B9R1CW
GRM55DR61H106KA88B
T490D106K035AS
相關PDF資料
PDF描述
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LSR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21060NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S20010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6S20010 Series 1.6 to 2.2 GHz 28 V 10 W RF Power N-Ch Mosfet - TO-270
MRF6S20010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S20010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21050LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*