參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S20010GNR1
廠(chǎng)商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 19/24頁(yè)
文件大?。?/td> 591K
代理商： MRF6S20010GNR1
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
19
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 9. Common Source Scattering Parameters (V
DD
= 28 V, I
DQ
= 126 mA, T
C
= 25 C, 50 ohm system) (continued)
f
MHz
S
11
S
21
S
12
S
22
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
2500
0.923
-177.5
0.666
5.462
0.006
42.56
0.957
-177.2
2550
0.927
-178.0
0.625
3.680
0.006
52.25
0.962
-177.8
2600
0.937
-178.8
0.591
1.864
0.006
60.26
0.961
-178.4
2650
0.937
-179.0
0.559
0.237
0.007
64.14
0.964
-179.1
2700
0.942
-179.8
0.529
-1.378
0.007
65.62
0.964
-179.6
2750
0.945
-179.9
0.504
-2.768
0.007
64.71
0.964
179.7
2800
0.946
179.5
0.479
-4.088
0.007
67.58
0.966
179.4
2850
0.950
179.3
0.456
-5.412
0.007
75.44
0.966
178.8
2900
0.949
178.8
0.436
-6.305
0.008
82.04
0.964
178.3
2950
0.952
178.5
0.419
-7.279
0.009
83.60
0.967
177.9
3000
0.950
178.4
0.402
-8.087
0.011
83.41
0.968
177.4
3050
0.958
177.9
0.387
-9.138
0.012
81.35
0.964
176.8
3100
0.953
177.7
0.373
-9.904
0.013
77.45
0.969
176.4
3150
0.957
177.2
0.362
-10.86
0.014
70.98
0.970
176.2
3200
0.960
177.4
0.350
-11.79
0.013
67.00
0.970
175.5
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