參數(shù)資料
型號： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 22/24頁
文件大小： 591K
代理商： MRF6S20010GNR1
22
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LSR3 RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S21100HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21100HSR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF6S20010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6S20010 Series 1.6 to 2.2 GHz 28 V 10 W RF Power N-Ch Mosfet - TO-270
MRF6S20010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S20010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S21050LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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