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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V4M32 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1921K |
| 代理商： | MT46V4M32 |
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22
128Mb: x32 DDR SDRAM
4M32DDR_B.p65 – Rev. B, Pub. 7/02
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2002, Micron Technology, Inc.
128Mb: x32
DDR SDRAM
ADVANCE
Figure 12
READ to WRITE
CK
CK#
COMMAND
READ
BST
7
NOP
NOP
NOP
ADDRESS
Bank,
Col
n
WRITE
Bank,
Col
b
Bank,
Col
b
t
DQSS
(MIN)
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T5n
NOTE
: 1. DO
n
= data-out from column
n
.
2. DI
b
= data-in from column
b
.
3. Burst length = 4 in the cases shown (applies for bursts of 8 and full page as well; if the burst
length is 2, the BST command shown can be NOP).
4. One subsequent element of data-out appears in the programmed order following DO
n.
5. Data-in elements are applied following DI
b
in the programmed order
.
6. Shown with nominal
t
AC,
t
DQSCK, and
t
DQSQ.
7. BST = BURST TERMINATE command.
CL = 2
DQ
DQS
DM
t
DQSS
(MIN)
DI
b
CK
CK#
COMMAND
READ
BST
7
NOP
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank
a
,
Col
n
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
CL = 3
DQ
DQS
DO
n
DM
DI
b
DI
b
DON T CARE
TRANSITIONING DATA
DO
n
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46V4M32LG | I.MX31 LITE KIT |
| MT46V64M4 | 16 Meg x 4 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 4 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| MT46V64M8 | 16 Meg x 8 x 4 banks DDR SDRAM(16M x 8 x 4組,雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| MT48LC16M8A1TG | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M4A1 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V4M32LG | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M16 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM |
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