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參數(shù)資料
| 型號： | NT5TU64M16DG-3C |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| 封裝： | GREEN, BGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 35/85頁 |
| 文件大小： | 2622K |
| 代理商： | NT5TU64M16DG-3C |
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NT5TU256M4GE / NT5TU128M8GE / NT5TU64M16GG
1Gb DDR2 SDRAM
40
REV 1.0
06 / 2010
Burst Write followed by Precharge
Minimum Write to Precharge command spacing to the same bank = WL + BL/2 + tWR. For write cycles, a delay
must be satisfied from the completion of the last burst write cycle until the Precharge command can be issued.
This delay is known as a write recovery time (tWR) referenced from the completion of the burst write to the
Precharge command. No Precharge command should be issued prior to the tWR delay, as DDR2 SDRAM does
not support any burst interrupt by a Precharge command. tWR is an analog timing parameter (see the AC table
in this datasheet) and is not the programmed value for tWR in the MRS.
Examples:
Burst Write followed by Precharge : WL = (RL - 1) = 3, BL = 4, tWR = 3
NOP
WRITE A
Post CAS
T
0
T
2
T
1
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
WL = 3
BW-P3
CMD
DQ
NOP
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
>=tWR
Completion of
the Burst Write
Precharge
A
NOP
DQS,
DQS
CK, CK
Burst Write followed by Precharge : WL = (RL - 1) = 4, BL = 4, tWR = 3
NOP
WRITE A
Post CAS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T9
WL = 4
BW-P4
CMD
DQ
NOP
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
tWR
Completion of
the Burst Write
Precharge
A
NOP
DQS,
DQS
CK, CK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTA2425E | |
| NTA2425F | |
| NTA2410-10 | |
| NTD2410F | |
| NTA2425-10 | |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5TU64M16GG-AC | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5TU64M16GG-ACI | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5TU64M16HG-AC | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT5TU64M16HG-BE | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT6 | 功能描述:烙鐵 Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc RoHS:否 制造商:Weller 產品:Soldering Stations 類型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類型:US Cord Included |
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