參數(shù)資料
型號： PSD834F2V
英文描述： Flash PSD, 3.3V Supply, for 8-bit MCUs 2 Mbit + 256 Kbit Dual Flash Memories and 64 Kbit SRAM(2M位+256K位雙路閃速存儲器和64K位靜態(tài)RAM,閃速PSD,3.3V電源,用于8位MCU.)
中文描述： 閃光私營部門，3.3V電源，為8位微控制器2兆256千位雙閃存和64千位的SRAM（200萬位256K位雙路閃速存儲器和64K的位靜態(tài)內(nèi)存，閃速私營部門，3.3V的電源，用于8位微控制器。）
文件頁數(shù)： 52/89頁
文件大小： 522K
代理商： PSD834F2V
PSD834F2V
52/89
Figure 26. Port C Structure
Port C – Functionality and Structure
Port C can be configured to perform one or more
of the following functions (see Figure 26):
I
MCU I/O Mode
I
CPLD Output – McellBC7-McellBC0 outputs
can be connected to Port B or Port C.
I
CPLD Input – via the Input Macrocells (IMC)
I
Address In – Additional high address inputs
using the Input Macrocells (IMC).
I
In-System Programming (ISP) – JTAG port can
be enabled for programming/erase of the PSD
device. (Seethe section entitled “Programming
In-Circuit using the JTAG Serial Interface”, on
page 61, for more information on JTAG
programming.)
I
Open Drain – Port C pins can be configured in
Open Drain Mode
I
Battery Backup features – PC2 can be
configured for a battery input supply, Voltage
Stand-by (VSTBY).
PC4 canbe configured as a Battery-on Indicator
(VBATON), indicating when V
CC
is less than
V
BAT
.
Port C does not support Address Out mode, and
therefore no Control Register is required.
Pin PC7 may be configured as the DBE input in
certain MCU bus interfaces.
I
DATA OUT
REG.
D
Q
D
Q
WR
WR
MCELLBC[7:0]
ENABLE PRODUCT TERM (.OE)
READ MUX
P
D
B
CPLD-INPUT
DIR REG.
INPUT
MACROCELL
ENABLE OUT
SPECIAL FUNCTION1
SPECIAL FUNCTION1
CONFIGURATION
BIT
DATA IN
OUTPUT
SELECT
OUTPUT
MUX
PORT C PIN
DATA OUT
AI02888B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD834F2 Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals For 8-bit MCUs(用于8位MCUs的閃速ISP外圍)
PSD835G2 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(8位微控制器片上存儲器可編程外設(shè))
PSD835G2 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD834F2V-15J 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 150ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-15M 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 150ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-20JI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 200ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-20MI 功能描述:SPLD - 簡單可編程邏輯器件 3.0V 2M 200ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池數(shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*