參數(shù)資料
型號(hào)： PSD834F2V
英文描述： Flash PSD, 3.3V Supply, for 8-bit MCUs 2 Mbit + 256 Kbit Dual Flash Memories and 64 Kbit SRAM(2M位+256K位雙路閃速存儲(chǔ)器和64K位靜態(tài)RAM,閃速PSD,3.3V電源,用于8位MCU.)
中文描述： 閃光私營(yíng)部門(mén)，3.3V電源，為8位微控制器2兆256千位雙閃存和64千位的SRAM（200萬(wàn)位256K位雙路閃速存儲(chǔ)器和64K的位靜態(tài)內(nèi)存，閃速私營(yíng)部門(mén)，3.3V的電源，用于8位微控制器。）
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代理商： PSD834F2V
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PSD834F2V
AC/DC PARAMETERS
These tables describe the AD and DC parameters
of the PSD:
J
DC Electrical Specification
J
AC Timing Specification
I
PLD Timing
– Combinatorial Timing
– Synchronous Clock Mode
– Asynchronous Clock Mode
– Input Macrocell Timing
I
MCU Timing
– Read Timing
– Write Timing
– Peripheral Mode Timing
– Power-down and Reset Timing
The following are issues concerning the parame-
ters presented:
I
In the DC specification the supply current is
given for different modes of operation. Before
calculating the total power consumption,
determine the percentage of time that the PSD
is in each mode. Also, the supply power is
considerably different if the Turbo bit is 0.
I
The ACpower component gives the PLD, Flash
memory, and SRAM mA/MHz specification.
Figure 32shows thePLD mA/MHzas a function
of the number of Product Terms (PT) used.
I
In thePLD timing parameters, add the required
delay when Turbo bit is 0.
Figure 32. PLD I
CC
/Frequency Consumption
0
10
20
30
40
50
60
V
CC
= 3V
0
10
15
5
20
25
I
C
–
TURBO ON (100%)
TURBO ON (25%)
TURBOOFF
TURBO OFF
HIGHEST COMPOSITE FREQUENCY AT PLD INPUTS (MHz)
PT
100%
PT 25%
AI03100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD834F2 Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals For 8-bit MCUs(用于8位MCUs的閃速I(mǎi)SP外圍)
PSD835G2 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(8位微控制器片上存儲(chǔ)器可編程外設(shè))
PSD835G2 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD834F2V-15J 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 150ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-15M 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 150ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-20JI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 200ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-20MI 功能描述:SPLD - 簡(jiǎn)單可編程邏輯器件 3.0V 2M 200ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池?cái)?shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時(shí)間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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