參數(shù)資料
型號(hào)： PSD834F2V
英文描述： Flash PSD, 3.3V Supply, for 8-bit MCUs 2 Mbit + 256 Kbit Dual Flash Memories and 64 Kbit SRAM(2M位+256K位雙路閃速存儲(chǔ)器和64K位靜態(tài)RAM,閃速PSD,3.3V電源,用于8位MCU.)
中文描述： 閃光私營部門，3.3V電源，為8位微控制器2兆256千位雙閃存和64千位的SRAM（200萬位256K位雙路閃速存儲(chǔ)器和64K的位靜態(tài)內(nèi)存，閃速私營部門，3.3V的電源，用于8位微控制器。）
文件頁數(shù)： 76/89頁
文件大?。?/td> 522K
代理商： PSD834F2V
PSD834F2V
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Table 48. Write Timing
Note: 1. Any input used to select an internal PSD function.
2. In multiplexed mode, latched address generated from ADIO delay to address output on any port.
3. WR has the same timing as E, LDS, UDS, WRL, and WRH signals.
4. Assuming data is stable before active write signal.
5. Assuming write is active before data becomes valid.
6. TWHAX2 is the address hold time for DPLD inputs that are used to generate Sector Select signals for internal PSD memory.
Symbol
Parameter
Conditions
-10
-15
-20
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
LVLX
ALE or AS Pulse Width
26
26
30
t
AVLX
Address Setup Time
(Note
1
)
9
10
12
ns
t
LXAX
Address Hold Time
(Note
1
)
9
12
14
ns
t
AVWL
Address Valid to Leading
Edge of WR
(Notes
1,3
)
17
20
25
ns
t
SLWL
CS Valid to Leading Edge of WR
(Note
3
)
17
20
25
ns
t
DVWH
WR Data Setup Time
(Note
3
)
45
45
50
ns
t
WHDX
WR Data Hold Time
(Note
3
)
7
8
10
ns
t
WLWH
WR Pulse Width
(Note
3
)
46
48
53
ns
t
WHAX1
Trailing Edge of WR to Address Invalid
(Note
3
)
10
12
17
ns
t
WHAX2
Trailing Edge of WR to DPLD Address
Invalid
(Note
3,6
)
0
0
0
ns
t
WHPV
Trailing Edge of WR to Port Output
Valid Using I/O Port Data Register
(Note
3
)
33
35
40
ns
t
DVMV
Data Valid to Port Output Valid
Using Macrocell Register Preset/Clear
(Notes
3,5
)
70
70
80
ns
t
AVPV
Address Input Valid to Address
Output Delay
(Note
2
)
33
35
40
ns
t
WLMV
WR Valid to Port Output Valid Using
Macrocell Register Preset/Clear
(Notes
3,4
)
70
70
80
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD834F2 Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals For 8-bit MCUs(用于8位MCUs的閃速ISP外圍)
PSD835G2 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers(8位微控制器片上存儲(chǔ)器可編程外設(shè))
PSD835G2 100V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-254AA Tabless package; Similar to IRHMJ57160 with optional Total Dose Rating of 1000kRads
PSD835G2V 150V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a SMD-2 package. Also available with 300 kRads Total Dose Rating.; Similar to IRHNA67164 with optional Total Dose Rating of 300 kRads.
PSD835G2-B-12B81 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD834F2V-15J 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 150ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-15M 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 150ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-20JI 功能描述:CPLD - 復(fù)雜可編程邏輯器件 3.0V 2M 200ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲(chǔ)類型:EEPROM 大電池?cái)?shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時(shí)間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100
PSD834F2V-20MI 功能描述:SPLD - 簡(jiǎn)單可編程邏輯器件 3.0V 2M 200ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池?cái)?shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時(shí)間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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