參數(shù)資料
型號： TMS320DM365ZCED30
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 133/210頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DGTL MEDIA SOC 338NFBGA
標準包裝： 160
系列： TMS320DM3x, DaVinci™
類型： 數(shù)字媒體片內(nèi)系統(tǒng)（DMSoC）
接口： EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，McBSP，SPI，UART，USB
時鐘速率： 300MHz
非易失內(nèi)存： ROM（16 kB）
芯片上RAM： 56kB
電壓 - 輸入/輸出： 1.8V，3.3V
電壓 - 核心： 1.35V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 338-LFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 338-NFBGA（13x13）
包裝： 托盤
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁當前第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁
SPRS457E
– MARCH 2009 – REVISED JUNE 2011
Table 2-5. Pin Descriptions (continued)
Name
BGA
Type
Group
Power
IPU
Reset
Description(4)
ID
(1)
Supply(2)
IPD(3)
State
DDR_A5
V15
O
DDR
VDD18_DDR
DDR Address Bus bit 05
DDR_A4
U15
O
DDR
VDD18_DDR
DDR Address Bus bit 04
DDR_A3
T14
O
DDR
VDD18_DDR
DDR Address Bus bit 03
DDR_A2
W15
O
DDR
VDD18_DDR
DDR Address Bus bit 02
DDR_A1
V14
O
DDR
VDD18_DDR
DDR Address Bus bit 01
DDR_A0
U14
O
DDR
VDD18_DDR
DDR Address Bus bit 00
DDR_DQ15
V6
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 15
DDR_DQ14
V7
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 14
DDR_DQ13
R7
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 13
DDR_DQ12
W7
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 12
DDR_DQ11
V8
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 11
DDR_DQ10
R8
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 10
DDR_DQ9
U8
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 09
DDR_DQ8
W8
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 08
DDR_DQ7
R9
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 07
DDR_DQ6
W9
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 06
DDR_DQ5
V9
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 05
DDR_DQ4
W10
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 04
DDR_DQ3
V10
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 03
DDR_DQ2
R10
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 02
DDR_DQ1
V11
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 01
DDR_DQ0
U11
I/O
DDR
VDD18_DDR
DDR Data Bus bit 00
DDR_
T8
O
DDR
VDD18_DDR
DDR: Loopback signal for external DQS gating.
DQGATE0
Route to DDR and back to DDR_DQGATE1 with
same constraints as used for DDR clock and data.
DDR_
T9
I
DDR
VDD18_DDR
DDR: Loopback signal for external DQS gating.
DQGATE1
Route to DDR and back to DDR_DQGATE0 with
same constraints as used for DDR clock and data.
DDR_VREF
P11
PWR
DDR
VDD18_DDR
DDR: DDR_VREF is .5* VDD18_DDR = 0.9V for SSTL2
specific reference voltage.
DDR_PADREFP
R11
O
DDR
VDD18_DDR
DDR: External resistor ( 50 ohm to ground)
EM_A13 / GIO78 /
V18
I/O/Z
AEMIF / VDD_AEMIF1_18_ IPU/IPD
Input
Async EMIF: Address Bus bit[13]
BTSEL[2]
GIO /
33
disable
BTSEL[
d by
2]
default
GIO: GIO[78]
BTSEL[2]: See Section 3.2, Device Boot Modes for
system usage of these pins.
EM_A12 / GIO77 /
U18
I/O/Z
AEMIF / VDD_AEMIF1_18_ IPU/IPD
Input
Async EMIF: Address Bus bit[12]
BTSEL[1]
GIO /
33
disable
BTSEL[
d by
1]
default
GIO: GIO[77]
BTSEL[1]: See Section 3.2, Device Boot Modes for
system usage of these pins.
EM_A11 / GIO76 /
V19
I/O/Z
AEMIF / VDD_AEMIF1_18_ IPU/IPD
Input
Async EMIF: Address Bus bit[11]
BTSEL[0]
GIO /
33
disable
BTSEL[
d by
0]
default
GIO: GIO[76]
BTSEL[0]: See Section 3.2, Device Boot Modes for
system usage of these pins.
Copyright
2009–2011, Texas Instruments Incorporated
Device Overview
29
Product Folder Link(s): TMS320DM365
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TAJC106M016H CAP TANT 10UF 16V 20% 2312
2205-H-RC INDUCTOR TORD HI AMP 22UH HORZ
RCM15DRPS CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
TPSC107M010S0100 CAP TANT 100UF 10V 20% 2312
173-E37-213R141 CONN DB37 FMALE .283" R/A NKL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TMS320DM365ZCEF 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Dig Media System- on-Chip RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
TMS320DM367ZCED 制造商:Texas Instruments 功能描述:TMS320DM367ZCEF
TMS320DM367ZCED30 制造商:Texas Instruments 功能描述:TMS320DM367ZCEF
TMS320DM368ZCE 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Digital Media SOC RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
TMS320DM368ZCE48 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Dig Media System-on- Chip RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
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