參數(shù)資料
型號： TMS320DM365ZCED30
廠商： Texas Instruments
文件頁數(shù)： 18/210頁
文件大小： 0K
描述： IC DGTL MEDIA SOC 338NFBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 160
系列： TMS320DM3x, DaVinci™
類型： 數(shù)字媒體片內(nèi)系統(tǒng)（DMSoC）
接口： EBI/EMI，以太網(wǎng)，I²C，McBSP，SPI，UART，USB
時鐘速率： 300MHz
非易失內(nèi)存： ROM（16 kB）
芯片上RAM： 56kB
電壓 - 輸入/輸出： 1.8V，3.3V
電壓 - 核心： 1.35V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 338-LFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 338-NFBGA（13x13）
包裝： 托盤
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SPRS457E
– MARCH 2009 – REVISED JUNE 2011
6.10.3.1.7 High-Speed Bypass Capacitors
High-speed (HS) bypass capacitors are critical for proper DDR2/mDDR interface operation. It is
particularly
important
to
minimize
the
parasitic
series
inductance
of
the
HS
bypass
cap,
DMSoC/DDR2/mDDR power, and DMSoC/DDR2/mDDR ground connections. Table 6-29 contains the
specification for the HS bypass capacitors as well as for the power connections on the PCB.
6.10.3.1.8 Net Classes
Table 6-30 lists the clock net classes for the DDR2/mDDR interface. Table 6-31 lists the signal net
classes, and associated clock net classes, for the signals in the DDR2/mDDR interface. These net classes
are used for the termination and routing rules that follow.
Table 6-29. High-Speed Bypass Capacitors
No.
Parameter
Min
Max
Unit
Notes
1
HS Bypass Capacitor Package Size
0402
10 Mils
See Note (1)
2
Distance from HS bypass capacitor to device being bypassed
250
Mils
3
Number of connection vias for each HS bypass capacitor
2
Vias
See Note (2)
4
Trace length from bypass capacitor contact to connection via
1
30
Mils
5
Number of connection vias for each DDR2/mDDR device power or ground balls
1
Vias
6
Trace length from DDR2/mDDR device power ball to connection via
35
Mils
7
VDD18_DDR HS Bypass Capacitor Count
10
Devices
See Note (3)
8
VDD18_DDR HS Bypass Capacitor Total Capacitance
1.2
uF
9
DDR#1 HS Bypass Capacitor Count
8
Devices
See Note (3)
10
DDR#1 HS Bypass Capacitor Total Capacitance
0.4
uF
11
DDR#2 HS Bypass Capacitor Count
8
Devices
See Notes
(3), (4)
12
DDR#2 HS Bypass Capacitor Total Capacitance
0.4
uF
See Note (4)
(1)
LxW, 10 mil units, i.e., a 0402 is a 40x20 mil surface mount capacitor
(2)
An additional HS bypass capacitor can share the connection vias only if it is mounted on the opposite side of the board.
(3)
These devices should be placed as close as possible to the device being bypassed.
(4)
Only used on dual-memory systems
114
Peripheral Information and Electrical Specifications
Copyright
2009–2011, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): TMS320DM365
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TAJC106M016H CAP TANT 10UF 16V 20% 2312
2205-H-RC INDUCTOR TORD HI AMP 22UH HORZ
RCM15DRPS CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
TPSC107M010S0100 CAP TANT 100UF 10V 20% 2312
173-E37-213R141 CONN DB37 FMALE .283" R/A NKL
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參數(shù)描述
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TMS320DM367ZCED 制造商:Texas Instruments 功能描述:TMS320DM367ZCEF
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TMS320DM368ZCE48 功能描述:處理器 - 專門應(yīng)用 Dig Media System-on- Chip RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 類型:Multimedia Applications 核心:ARM Cortex A9 處理器系列:i.MX6 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:1 GHz 指令/數(shù)據(jù)緩存: 數(shù)據(jù) RAM 大小:128 KB 數(shù)據(jù) ROM 大小: 工作電源電壓: 最大工作溫度:+ 95 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:MAPBGA-432
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