DC CHARACTERISTICS: OPERATING CURRENT (I<" />
參數(shù)資料
型號(hào)： UPD70F3752GC-UEU-AX
廠商： Renesas Electronics America
文件頁(yè)數(shù)： 54/191頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 32BIT V850ES/HX3 100-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 300
系列： V850ES/Hx3
核心處理器： V850ES
芯體尺寸： 32-位
速度： 32MHz
連通性： CSI，I²C，UART/USART
外圍設(shè)備： DMA，LVD，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 84
程序存儲(chǔ)器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲(chǔ)器類(lèi)型： 閃存
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 100-LQFP
包裝： 托盤(pán)
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2009-2011 Microchip Technology Inc.
DS61156G-page 185
PIC32MX5XX/6XX/7XX
TABLE 31-5:
DC CHARACTERISTICS: OPERATING CURRENT (IDD)
DC CHARACTERISTICS
Standard Operating Conditions: 2.3V to 3.6V
(unless otherwise stated)
Operating temperature
-40°C
≤TA ≤+85°C for Industrial
-40°C
≤TA ≤+105°C for V-Temp
Param.
No.
Typical(3)
Max.
Units
Conditions
Operating Current (IDD)(1,2) for PIC32MX575/675/695/775 Family Devices
DC20
6
9
mA
Code executing from Flash
-40C,
+25C,
+85C
—4 MHz
DC20b
7
10
+105C
DC20a
4
—
Code executing from SRAM
—
DC21
37
40
mA
Code executing from Flash
——
25 MHz
(Note 4)
DC21a
25
—
Code executing from SRAM
DC22
64
70
mA
Code executing from Flash
——
60 MHz
(Note 4)
DC22a
61
—
Code executing from SRAM
DC23
85
98
mA
Code executing from Flash
-40C,
+25C,
+85C
—80 MHz
DC23b
90
120
+105C
DC23a
85
—
Code executing from SRAM
—
DC25a
125
150
A
—
+25°C
3.3V
LPRC (31 kHz)
(Note 4)
Operating Current (IDD)(1,2,5) for PIC32MX534/564/664/764 Family Devices
DC20b
6
9
mA
Code executing from Flash
—
4 MHz
DC20c
2
—
mA
Code executing from SRAM
—
DC21b
19
40
mA
Code executing from Flash
—
25 MHz
(Note 4)
DC21c
14
—
mA
Code executing from SRAM
—
DC22b
31
70
mA
Code executing from Flash
—
60 MHz
(Note 4)
DC22c
29
—
mA
Code executing from SRAM
—
DC23b
39
98
mA
Code executing from Flash
—
80 MHz
DC23c
39
—
mA
Code executing from SRAM
—
DC25b
100
150
A
—
+25°C
3.3V
LPRC (31 kHz)
(Note 4)
Note 1:
A device’s IDD supply current is mainly a function of the operating voltage and frequency. Other factors,
such as PBCLK (Peripheral Bus Clock) frequency, number of peripheral modules enabled, internal code
execution pattern, execution from Program Flash memory vs. SRAM, I/O pin loading and switching rate,
oscillator type, as well as temperature, can have an impact on the current consumption.
2:
The test conditions for IDD measurements are as follows: Oscillator mode = EC+PLL with OSC1 driven by
external square wave from rail-to-rail and PBCLK divisor = 1:8. CPU, Program Flash and SRAM data
memory are operational, program Flash memory Wait states = 7, program cache and prefetch are dis-
abled and SRAM data memory Wait states = 1. All peripheral modules are disabled (ON bit = 0). WDT
and FSCM are disabled. All I/O pins are configured as inputs and pulled to VSS. MCLR = VDD.
3:
Data in “Typical” column is at 3.3V, 25°C at specified operating frequency unless otherwise stated.
Parameters are for design guidance only and are not tested.
4:
This parameter is characterized, but not tested in manufacturing.
5:
This information is preliminary.
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UPD70F3755GJ(S)-GAE-AX 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:V850/HJ3 256KROM/16KRAM 32MHZ 144LQFP - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC MCU 32BIT 256KB FLASH 144LQFP
UPD70F3755GJ-GAE-AX 功能描述:MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Hx3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外圍設(shè)備:POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲(chǔ)器容量:- 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC（J 形引線） 包裝:帶卷 (TR)
UPD70F3757GJ-GAE-AX 功能描述:MCU 32BIT V850ES/HX3 144-LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Hx3 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲(chǔ)器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤(pán) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87
UPD70F3760GC-UEU-AX 功能描述:MCU 32BIT V850ES/JX3-H 100-LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:V850ES/Jx3-H 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:80C 核心處理器:8051 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，UART/USART 外圍設(shè)備:POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):40 程序存儲(chǔ)器容量:- 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-LCC（J 形引線） 包裝:帶卷 (TR)
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