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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V55C2128164VB |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
| 中文描述： | 128Mbit低功率SDRAM 2.5伏，第二的TSOP / BGA封裝，8米× 16 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | V55C2128164VB |
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17
V55C2128164V(T/B) Rev. 1.2 August 2002
MOSEL VITELIC
V55C2128164V(T/B)
1. Bank Activate Command Cycle
(CAS latency = 3)
2. Burst Read Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
ADDRESS
CLK
T0
T
T1
T
T
T
T
COMMAND
NOP
NOP
NOP
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
Write A
with Auto
Bank A
Col. Addr.
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
Bank B
Activate
Bank A
Row Addr.
Bank A
Activate
t
RCD
: “H” or “L”
t
RC
t
RRD
Bank B
Row Addr.
COMMAND
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A
0
CAS latency = 2
t
CK2,
I/O’s
t
CK3,
I/O’s
CAS latency = 3
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
NOP
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V55C2128164VT | 128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
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