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參數(shù)資料
| 型號： | V55C2128164VB |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | 128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
| 中文描述： | 128Mbit低功率SDRAM 2.5伏，第二的TSOP / BGA封裝，8米× 16 |
| 文件頁數(shù)： | 18/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 591K |
| 代理商： | V55C2128164VB |
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18
V55C2128164V(T/B) Rev. 1.2 August 2002
MOSEL VITELIC
V55C2128164V(T/B)
3. Read Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
4.1 Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
COMMAND
READ A
READ B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3,
I/O’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B
0
DOUT B
1
DOUT B
2
DOUT B
3
DOUT A
0
DOUT B
0
DOUT B
1
DOUT B
2
DOUT B
3
DOUT A
0
COMMAND
NOP
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
Must be Hi-Z before
the Write Command
I/O’s
Minimum delay between the Read and Write Commands = 4+1 = 5 cycles
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
t
DQZ
t
DQW
: “H” or “L”
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V55C2128164VT | 128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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