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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W9425G6EH-4 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 10/54頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W9425G6EH-4 |
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W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 18 -
Revision A08
8. OPERATION MODE
The following table shows the operation commands.
8.1 Simplified Truth Table
SYM.
COMMAND
DEVICE
STATE
CKEn-1 CKEn
DM
(4)
BA0,
BA1
A10
A12,
A11,
A9-A0
CS
RAS
CAS
WE
ACT
Bank Active
Idle
(3)
H
X
V
L
H
PRE
Bank Precharge
Any
(3)
H
X
V
L
X
L
H
L
PREA
Precharge All
Any
H
X
H
X
L
H
L
WRIT
Write
Active
(3)
H
X
V
L
V
L
H
L
WRITA
Write with Auto-
precharge
Active
(3)
H
X
V
H
V
L
H
L
READ
Read
Active
(3)
H
X
V
L
V
L
H
L
H
READA
Read with Auto-
precharge
Active
(3)
H
X
V
H
V
L
H
L
H
MRS
Mode Register Set
Idle
H
X
L, L
C
L
EMRS
Extended Mode
Register Set
Idle
H
X
H, L
V
L
NOP
No Operation
Any
H
X
L
H
BST
Burst Read Stop
Active
H
X
L
H
L
DSL
Device Deselect
Any
H
X
H
X
AREF
Auto Refresh
Idle
H
X
L
H
SELF
Self Refresh Entry
Idle
H
L
X
L
H
X
SELEX
Self Refresh Exit
Idle (Self
Refresh)
L
H
X
L
H
X
H
X
PD
Power Down
Mode Entry
Idle/
Active
(5)
H
L
X
L
H
X
H
X
PDEX
Power Down
Mode Exit
Any (Power
Down)
L
H
X
L
H
X
WDE
Data Write Enable
Active
H
X
L
X
WDD
Data Write Disable
Active
H
X
H
X
Notes
:
1. V = Valid X = Don’t Care L = Low level H = High level
2. CKE
n signal is input level when commands are issued.
CKE
n-1 signal is input level one clock cycle before the commands are issued.
3. These are state designated by the BA0, BA1 signals.
4. LDM, UDM (W9425G6EH).
5. Power Down Mode can not entry in the burst cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9864G6GB-6I | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| WE256K32-250G2TMEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TCE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
| WE256K32-300G2TIE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68 |
| WE256K32-150G2TCEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9425G6EH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9425G6EH-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
| W9425G6JB-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA |
| W9425G6JB-5 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ |
| W9425G6JB-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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