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參數(shù)資料
| 型號： | W9425G6EH-4 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 43/54頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | W9425G6EH-4 |
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W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 48 -
Revision A08
11.17 Write Interrupted by Read (CL = 3, BL = 4)
WRIT
CMD
DQS
DM
CLK
READ
tWTR
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
D0
D1
D2
D3
Data must be masked by DM
11.18 Write Interrupted by Precharge (BL = 8)
WRIT
CMD
DQS
DM
CLK
ACT
tWR
DQ
D4
D5
D6
D7
D0
D1
D2
D3
Data must be
masked by DM
PRE
tRP
Data masked by PRE command,
DQS input ignored.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9864G6GB-6I | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60 |
| WE256K32-250G2TMEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68 |
| WE256K32-200G2TCE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68 |
| WE256K32-300G2TIE | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68 |
| WE256K32-150G2TCEA | 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9425G6EH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9425G6EH-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
| W9425G6JB-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA |
| W9425G6JB-5 TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ |
| W9425G6JB-5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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