參數(shù)資料
型號： W9425G6EH-4
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 41/54頁
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代理商： W9425G6EH-4
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 46 -
Revision A08
11.13 Read Interrupted by Write & BST (BL = 8)
READ
CMD
DQS
DQ
CLK
BST
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
CAS Latency = 2
WRIT
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
Burst Read cycle must be terminated by BST Command to avoid I/O conflict.
11.14 Read Interrupted by Precharge (BL = 8)
READ
CM D
DQ S
DQ
CLK
PRE
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
CAS Latency
CAS Latency = 2
DQ S
DQ
CAS Latency = 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W9864G6GB-6I 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60
WE256K32-250G2TMEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68
WE256K32-200G2TCE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68
WE256K32-300G2TIE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68
WE256K32-150G2TCEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9425G6EH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9425G6EH-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:
W9425G6JB-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA
W9425G6JB-5 TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ
W9425G6JB-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
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