參數(shù)資料
型號： W9425G6EH-4
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 44/54頁
文件大小： 0K
代理商： W9425G6EH-4
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 49 -
Revision A08
11.19 2 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 2)
tCK = 100 MHz
CMD
DQS
CLK
DQ
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b
ACTa/b
: Bank Act. CMD of bank a/b
READAa/b : Read with Auto Pre.CMD of bank a/b
APa/b
: Auto Pre. of bank a/b
ACTa
ACTb
READAa
ACTa
READAb
ACTb
APa
APb
tRCD(a)
tRAS(a)
tRP(a)
tRAS(b)
tRCD(b)
tRP(b)
CL(a)
CL(b)
Preamble Postamble Preamble
Postamble
tRRD
tRC(a)
tRC(b)
tRRD
11.20 2 Bank Interleave Read Operation (CL = 2, BL = 4)
CMD
DQS
CLK
DQ
Q2a
Q3a
Q2b
Q3b
ACTa/b
: Bank Act. CMD of bank a/b
READAa/b : Read with Auto Pre.CMD of bank a/b
APa/b
: Auto Pre. of bank a/b
ACTa
READAa
ACTb
READAb
ACTa
ACTb
APa
APb
tRCD(a)
tRAS(a)
tRP(a)
tRAS(b)
tRCD(b)
tRP(b)
CL(a)
CL(b)
Preamble
Postamble
tRRD
tRC(a)
tRC(b)
tRRD
Q0a
Q1a
Q0b
Q1b
相關PDF資料
PDF描述
W9864G6GB-6I 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60
WE256K32-250G2TMEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68
WE256K32-200G2TCE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68
WE256K32-300G2TIE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68
WE256K32-150G2TCEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68
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參數(shù)描述
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W9425G6EH-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:
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W9425G6JB-5 TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ
W9425G6JB-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
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