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參數(shù)資料
| 型號： | W9425G6EH-4 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 18/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | W9425G6EH-4 |
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W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 25 -
Revision A08
9.3 Capacitance
(VDD = VDDQ = 2.5V
±0.2V, f = 1 MHz, TA = 25 °C, VOUT (DC) = VDDQ/2, VOUT (Peak to Peak) = 0.2V)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
DELTA
(MAX.)
UNIT
CIN
Input Capacitance (except for CLK pins)
2.0
3.0
0.5
pF
CCLK
Input Capacitance (CLK pins)
2.0
3.0
0.25
pF
CI/O
DQ, DQS, DM Capacitance
4.0
5.0
0.5
pF
CNC
NC Pin Capacitance
-
1.5
-
pF
Notes: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
The NC pins have additional capacitance for adjustment of the adjacent pin capacitance.
9.4 Leakage and Output Buffer Characteristics
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
II (L)
Input Leakage Current
Any input 0V < VIN < VDD, VREF Pin 0V < VIN <
1.35V (All other pins not under test = 0V)
-2
2
A
IO (L)
Output Leakage Current
(Output disabled, 0V < VOUT < VDDQ)
-5
5
A
VOH
Output High Voltage
(under AC test load condition)
VTT +0.76
-
V
VOL
Output Low Voltage
(under AC test load condition)
-
VTT -0.76
V
IOH
Output Levels: Full drive option
High Current
(VOUT = VDDQ - 0.373V, min. VREF, min. VTT
-15
-
mA
4, 6
IOL
Low Current
(VOUT = 0.373V, max. VREF, max. VTT)
15
-
mA
4, 6
IOHR
Output Levels: Reduced drive option - 60%
High Current
(VOUT = VDDQ - 0.763V, min. VREF, min. VTT
-9
-
mA
5
IOLR
Low Current
(VOUT = 0.763V, max. VREF, max. VTT)
9
-
mA
5
IOHR
(30)
Output Levels: Reduced drive option - 30%
High Current
(VOUT = VDDQ – 1.056V, min. VREF, min. VTT
-4.5
-
mA
5
IOLR
(30)
Low Current
(VOUT = 1.056V, max. VREF, max. VTT)
4.5
-
mA
5
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