參數(shù)資料
型號： W9425G6EH-4
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 21/54頁
文件大小： 0K
代理商： W9425G6EH-4
W9425G6EH
Publication Release Date:Dec. 03, 2008
- 28 -
Revision A08
AC Characteristics and Operating Condition, continued
-4
-5/-5I
-6/-6I
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
tWPRE
DQS Write Preamble Time
0.25
tWPST
DQS Write Postamble Time
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tDQSS
Write Command to First DQS Latching
Transition
0.85
1.15
0.72
1.25
0.75
1.25
tCK
11
tIS
Input Setup Time (fast slew rate)
0.6
0.75
19, 21-23
tIH
Input Hold Time (fast slew rate)
0.6
0.75
19, 21-23
tIS
Input Setup Time (slow slew rate)
0.7
0.8
20-23
tIH
Input Hold Time (slow slew rate)
0.7
0.8
20-23
tIPW
Control & Address Input Pulse Width (for each
input)
2.2
tHZ
Data-out
High-impedance
Time
from
CLK, CLK
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.7
0.7
tLZ
Data-out
Low-impedance
Time
from
CLK, CLK
-0.7
0.7
-0.7
0.7
-0.7
0.7
tT(SS)
SSTL Input Transition
0.5
1.5
0.5
1.5
0.5
1.5
nS
tWTR
Internal Write to Read Command Delay
2
1
tCK
tXSNR
Exit Self Refresh to non-Read Command
72
75
nS
tXSRD
Exit Self Refresh to Read Command
200
tCK
tREFi
Refresh Interval Time (8k/ 64mS)
7.8
S
17
tMRD
Mode Register Set Cycle Time
8
10
12
nS
9.7 AC Test Conditions
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Input High Voltage (AC)
VIH
VREF + 0.31
V
Input Low Voltage (AC)
VIL
VREF - 0.31
V
Input Reference Voltage
VREF
0.5 x VDDQ
V
Termination Voltage
VTT
0.5 x VDDQ
V
Differential Clock Input Reference Voltage
VR
Vx (AC)
V
Input Difference Voltage. CLK and CLK Inputs (AC)
VID (AC)
1.5
V
Output Timing Measurement Reference Voltage
VOTR
0.5 x VDDQ
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W9864G6GB-6I 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA60
WE256K32-250G2TMEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 250 ns, CQFP68
WE256K32-200G2TCE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 200 ns, CQFP68
WE256K32-300G2TIE 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 300 ns, CQFP68
WE256K32-150G2TCEA 256K X 32 EEPROM 5V MODULE, 150 ns, CQFP68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9425G6EH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9425G6EH-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:
W9425G6JB-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond 功能描述:16MX16,256Mb DDRI DRAM ,200MHZ, BGA
W9425G6JB-5 TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ
W9425G6JB-5I 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
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