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參數(shù)資料
| 型號： | 28F008SC |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 8-MBIT SmartVoltage FlashFile Memory(8M位智能電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8兆SmartVoltage FlashFile內(nèi)存（800萬位智能電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 15/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 725K |
| 代理商： | 28F008SC |
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E
BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile MEMORY FAMILY
15
PRELIMINARY
Table 3. Bus Operations
Mode
Notes
RP#
CE#
OE#
WE#
Address
V
PP
DQ
0
–7
RY/BY#
Read
1,2,3
V
IH
or
V
HH
V
IH
or
V
HH
V
IH
or
V
HH
V
IL
V
IH
or
V
HH
V
IH
or
V
HH
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
D
OUT
X
Output Disable
3
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
High Z
X
Standby
3
V
IH
X
X
X
X
High Z
X
Deep Power-Down
4
X
X
X
X
X
High Z
V
OH
V
OH
Read Identifier Codes
V
IL
V
IL
V
IH
See
Figure 5
X
Note 5
Write
3,6,7
V
IL
V
IH
V
IL
X
X
D
IN
X
NOTES:
1. Refer to DC Characteristics When V
PP
≤
V
PPLK
, memory contents can be read, but not altered.
2. X can be V
or V
IH
for control and address input pins and V
PPLK
or V
PPH1/2/3
for V
PP
. See DC Characteristicsfor V
PPLK
and
V
PPH1/2/3
voltages.
3. RY/BY# is V
OL
when the WSM is executing internal block erase, program, or lock-bit configuration algorithms. It is V
OH
when the WSM is not busy, in block erase suspend mode (with program inactive), program suspend mode, or deep power-
down mode.
4.
RP# at GND ± 0.2 V ensures the lowest deep power-down current.
5. See Section 4.2 for read identifier code data.
6. Command writes involving block erase, write, or lock-bit configuration are reliably executed when V
PP
= V
PPH1/2/3
and
V
CC
= V
CC2/3
(see Section 6.2 for operating conditions).
7. Refer to Table 4 for valid D
IN
during a write operation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016SC | 16-MBIT SmartVoltage FlashFile Memory(16M位智能電壓閃速存儲器) |
| 28F008S | 8-MBit (1 MBit x 8) FLASHFILE Memory(8-M位 (1 M位 x 8)閃速存儲器) |
| 28F0101024K | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F010 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F016B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F010 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F0101024K | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F010120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| 28F010-120EI | 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F010120JC | 制造商: 功能描述: 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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