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參數(shù)資料
| 型號： | 28F0101024K |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 28F010 1024K（128K的× 8）的CMOS閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 32/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | 28F0101024K |
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28F010
E
32
4.11
Erase and Programming Performance
Parameter
Notes
Min
Typical
Max
Unit
Chip Erase Time
1, 3, 4
1
10
Sec
Chip Program Time
1, 2, 4
2
12.5
Sec
NOTES:
1.
2.
“Typicals” are not guaranteed, but based on samples from production lots. Data taken at 25 °C, 12.0 V V
PP
.
Minimum byte programming time excluding system overhead is 16 μsec (10 μsec program + 6 μsec write recovery), while
maximum is 400 μsec/byte (16 μsec x 25 loops allowed by algorithm). Max chip programming time is specified lower than
the worst case allowed by the programming algorithm since most bytes program significantly faster than the worst case
byte.
Excludes 00H programming prior to erasure.
Excludes system level overhead.
3.
4.
290207-19
NOTE:
Alternative CE#-Controlled Write Timings also apply to erase operations.
Figure 15. Alternate AC Waveforms for Programming Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F010 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
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| 28F032B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F160B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F800B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F010120EI | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| 28F010-120EI | 制造商:undefined 功能描述: |
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