參數(shù)資料
型號: 28F0101024K
廠商: Intel Corp.
英文描述: 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
中文描述: 28F010 1024K(128K的× 8)的CMOS閃存
文件頁數(shù): 7/33頁
文件大?。?/td> 895K
代理商: 28F0101024K
E
28F010
7
Table 1. Pin Description
(Continued)
Symbol
Type
Name and Function
V
PP
ERASE/PROGRAM POWER SUPPLY
for writing the command register,
erasing the entire array, or programming bytes in the array.
V
CC
DEVICE POWER SUPPLY
(5 V ±10%)
V
SS
GROUND
NC
NO INTERNAL CONNECTION
to device. Pin may be driven or left floating.
Figure 2. 28F010 Pin Configurations
相關PDF資料
PDF描述
28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
28F016B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
28F032B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
28F160B3 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
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參數(shù)描述
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28F0121-0SR 功能描述:FERRITE 10A 48 OHM SMD RoHS:否 類別:濾波器 >> 鐵氧體磁珠和芯片 系列:- 標準包裝:1,000 系列:EMI1812 頻率對應阻抗:120 歐姆 @ 100MHz 額定電流:200mA DC 電阻(DCR):最大 400 毫歐 濾波器類型:差模 - 單線 封裝/外殼:1812(4532 公制) 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 高度(最大):0.069"(1.75mm) 尺寸/尺寸:0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) 其它名稱:Q1712807A